IGBT的提出
MOSFET的結構是在低摻雜的襯底上制作高摻雜的源漏區(qū)，當漏電壓增加時，耗盡區(qū)主要向低摻雜的襯底一側延伸，當耗盡區(qū)延伸到源區(qū)時，器件便產(chǎn)生穿通。因此，要提高器件的耐壓水平，可以提高襯底的摻雜，但襯底摻雜由閾值電壓決定，不能無限提高。在結構上，可以增加溝道長度L，但這樣一來，期間的寬長比減小，工作電流減小，因此，這種結構不容易實現(xiàn)MOS功率器件的高壓大電流。為解決這一問題，各種新結構被提出，有LDMOS(lateraldoublediffusedMOS，橫向擴散金屬氧化物半導體)，VVMOS(verticalV-grooveMOS)，VUMOS(verticalU-grooveMOS)，VDMOS(verticaldoublediffusedMOS)。一系列的改進之后，VDMOS克服了很多缺點，但導通電阻還是較大。
于是人們開拓了一個新思路，一方面保留功率MOS的優(yōu)點，另一方面引入一個雙極結型結構，這樣，在器件導通時，雙極結型結構會產(chǎn)生少數(shù)載流子注入效應，從而對n-漂移區(qū)的電導率進行調(diào)制，即電導調(diào)制效應，從而有效地降低n-漂移區(qū)的電阻率和器件的導通電阻。圖1為最基本的IGBT結構圖。
IGBT主要缺點
1.jpg
圖1基本IGBT結構圖
IGBT在克服了VDMOS缺點的同時，又帶來了其自身固有的結構缺陷。IGBT隱含一種柵控四層pnpn晶閘管結構，這種寄生結構在一定的工作條件下會發(fā)生閂鎖。閂鎖會使IGBT失去柵控能力，器件無法自行關斷，甚至會將IGBT永久性燒毀。也就是說，IGBT的最大工作電流受寄生晶閘管閂鎖效應的限制。
IGBT應用領域
IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。鑒于IGBT的參數(shù)特性，目前IGBT主要應用在電機、變換器(逆變器)、變頻器、UPS、EPS電源、風力發(fā)電設備等工業(yè)控制領域。在上述應用領域中IGBT憑借著電壓控制、驅(qū)動簡單，開關頻率高、開關損耗小，可實現(xiàn)短路保護等優(yōu)點在600V及以上中壓應用領域中競爭力逐步顯現(xiàn)，在UPS、開關電源、電車、交流電機控制中已逐步替代GTO、GTR。
附：
BUCK電路中的開關器件，通�？刹捎肐GBT、GRT、GTO、MOSFET。
可關斷晶閘管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關斷�？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，
電力晶體管(GTR)GTR,GiantTransistor的縮寫，電力晶體管是一種雙極型大功率高反壓晶體管，由于其功率非常大，所以，它又被稱作為巨型晶體管，簡稱GTR。
